A High Efficiency Rf Front-End of Transmitter for Leo Using Gan Hemt Technology( I )

Project: National Science and Technology CouncilNational Science and Technology Council Academic Grants

Project Details

Abstract

本計畫首先提出採用氮化鎵製程技術實現高效率低軌衛星之射頻前端發射機,提供低軌衛星系統晶片所須抗高溫、高生命期、高可靠度的GaN製程所構成的MMIC PA,並且針對轉換效率的提升使用了諧波控制架構,最後針對特性及可靠度的分析進行完整的評估,第二年VCO及Mixer子電路也都為了效率提升及線性度的平衡提出了適合的架構,最後實現低軌衛星衛星所需功率放大器、振盪器及混頻器器晶片提升線性度與效率,最後實現以模組型式完成晶片整合。在執行計畫過程中,學生可以受到相關半導體製程與量測之訓練以及可靠度與電路設計系統整合經驗,使學校方面之訓練能夠順利與業界之訓練相連接。

Project IDs

Project ID:PB11206-0318
External Project ID:NSTC112-2622-E182-001
StatusFinished
Effective start/end date01/06/2331/05/24

Keywords

  • Low-Earth Orbit
  • LEO
  • GaN
  • Power Amplifier
  • Oscillator
  • Mixer
  • RF Front-end
  • 6G

Fingerprint

Explore the research topics touched on by this project. These labels are generated based on the underlying awards/grants. Together they form a unique fingerprint.