Project Details
Abstract
離子佈植仍是現今奈米製程技術形成超淺接面的主要方式，離子佈植會造成矽晶片之損傷，這些佈植損傷藉由後續的熱處理得到修補，熱處理將會因為離子佈植造成的傷害與暫態效應使元件內部雜質濃度分佈及活化難以控制。這部分的理論牽涉到許多互相耦合的物理效應，這部分必須透過物理的分析與校正才能獲得完整解析。本計畫之目的在於藉由實驗深入探討活化摻雜之物理現象並建立相關之原子模型，以協助超淺接面技術之提升。第一年將進行摻雜活化之實驗，以新穎的技術挑戰摻雜活化的極限。我們將嘗試以雷射退火，固相磊晶，及施加應變來增加摻雜之活化程度，並進行去活化實驗，觀察摻雜之反應與缺陷及擴散之關係。第二年將分析摻雜活化及去活化的行為，發展摻雜活化原子模型，作為設計超淺接面製程之工具。我們將進行雷射退火之模擬，並發展驗證雷射模擬之方法，然後分析摻雜活化及去活化的反應機制，最後置入原子模擬工具以蒙地卡羅法模擬摻雜之活化及去活化行為。
Project IDs
Project ID:PB9609-5418
External Project ID:NSC96-2221-E182-046-MY2
External Project ID:NSC96-2221-E182-046-MY2
| Status | Finished |
|---|---|
| Effective start/end date | 01/08/07 → 31/07/08 |
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