Deformation Physics of the Compound Semiconductor Heterostructures

低維度半導體結構中耦合形成的元激發，在基礎科學研究上觀察到動量的方向性以及能量分立、連續與共振相關的現象；在工程應用上也已發展出高溫、高頻、光電元件。在我們的研究之中，假設在次能級的粒子呈古典的波茲曼分佈(Classical BoltzmannDistribution)，我們可以從分析發射截面得到吸收截面，還可以分析系統的吸收與發射截面之溫度函數，解析量子井對載子在熱動能的變化下，伴隨著其捕捉電子與電洞的能力變化，以及載子又再克服位能障在量子井以外的區域做復合釋放能量產生光子。並藉由量子低維度微結構應變誘導能帶結構，進一步算出局部狀態密度(local density ofstates,LDOS)，即得出螢光近邊緣結構光譜，將有助於分析闡釋量子微結構系統中光子、電子、電洞、聲子之間的熱平衡關係。由於螢光近邊緣結構能譜與材料能帶之間的關係密不可分，而能帶結構的變化，主宰著材料的所有物理性質，因此使得近邊緣結構的解析相當重要。此外透過建立速率方程式模型(rate equation model)討論整個載子復合過程中，其低維度應變誘導微奈米結構對於發光過程所扮演的角色，並研究其量子效率、吸收截面與發射截面隨溫度變化的關係與其激子復合發光機制。此外並近一步定量的萃取出吸收截面與發射截面與建立適當的時間參數。

Project ID:PB9609-4087
External Project ID:NSC96-2221-E182-020