Development of X Band Self-resonated Downconverters and Low-noise Amplifier with Using Si submicron technology

Project: National Science and Technology CouncilNational Science and Technology Council Academic Grants

Project Details

Abstract

近年來由於矽晶片積體電路技術的進步與發展,使得微波電路亦廣泛地採用矽晶片製程來製作,由於一般矽晶片元件的Q 值較低,製作較高頻的電路會造成較大的損耗及雜訊,因此大多採用差動式或交互耦合結構以得到較好的特性。在本計畫擬以矽晶片積體電路技術設計工作頻率在10GHz 的電路,因此擬以創新之結構設計低雜訊主動式正反器將單端訊號轉換成差動訊號,再輸入至一個自振混波器以產生升頻或降頻訊號,由於自振混波器是採用吉伯特式設計因此可以得到很好的隔絕度及轉換增益等特性且以自振式架構以減少電路面積及功率消耗來達成可工作在10GHz 頻段的電路之設計。

Project IDs

Project ID:PB9408-3251
External Project ID:NSC94-2213-E182-009
StatusFinished
Effective start/end date01/08/0531/07/06

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