Electrostatic Discharge Study of Interval of the Electrode on Zno Substrate(I)

本計畫是有關於一種化合物覆晶元件以及其形成方法，且特別是有關於一種具有防止靜電放電破壞的化合物覆晶發光元件，或是為波元件且各特別為關於一種具有防止靜電放電破壞的含III-V 族元素半導體材料為主的化合物覆晶元件。一般發光元件的抗靜電能力與基板的磊晶品質（子計畫一）以及元件的結構（子計畫二）有相當大的關係，再配合子計畫三利用微機電UV-LIGA 製程結合覆晶技術，可以有助於未來減少氮化合物半導體打線上的應力，並且能夠提升散熱及靜電的洩放能力。但由於在三氧化二鋁基板上磊晶成長氮化物的多層結構有先天上的缺陷，那就是差排所造成的靜電能力低下的問題，因此在子計畫四中提出以覆晶的方式將元件焊接於陶瓷氧化鋅子基板上，來達成到靜電放電旁路效果以形成覆晶結構，提升化合物半導體元件抗靜電能力。一般解決化合物半導體元件覆晶結構的抗靜電的方法，是並聯一顆齊納二極體或是並聯一顆蕭基二極體，或是更進一步更串聯濾波波電路等等。但是通常存在已有國外專利或是成本過高或是製作不易之問題。計畫主持人利用對於氧化鋅元件製作的熟知及對於化合物半導體元件的先前研究結果，發展出一種利用氧化鋅材料在襯墊與襯墊之間，形成一過電壓的壓變電阻元件，製成氧化鋅覆晶基板（SUBMOUNT），在正常工作的時候電極與電極之間幾乎是開路狀態，當靜電來襲時它就會短路而洩放過多的電壓，來完成靜電保護。子計畫一與二中磊晶成長出來的元件配合子計畫三與四氧化鋅的覆晶技術，能更進一步大幅提升抗靜電能力到8000伏特，可以提供車輛的各式燈具及未來各式各樣的照明燈具所使用，使我國擺脫高抗靜電元件需要進口的方式，也可將技術提供給微波工業，做為高功率元件的保護之用。

Project ID:PB9408-4471
External Project ID:NSC94-2215-E182-006