High Breakdown Voltage InGaP E/D Mode pHEMT for WLAN Application

此兩年期新進人員計畫是利用長庚大學所擁有的高潔靜度無塵室以及高頻元件電路製作及設計能力，配合晶圓磊晶設計以及電場板製程，同時在一個砷化鎵單晶片上完成適合無線區域網路中最高頻段之802.11a(5.2~5.8GHz)射頻通訊積體電路內的微波切換開關，功率放大器與低雜訊放大器等電路，藉以達到射頻通訊電路積體化於一單晶片內之目的。近年來無線區域網路(WLAN)之興起，尤其WLAN 中802.11a 無線區域網路協定將會逐漸在2004 年之後站穩腳步，其高頻，高功率，高線性度之需求也替砷化鎵高速電晶體開創另一扇明窗。此計畫中我們期望能夠開發出適合5.8GHz 微波功率放大器與低雜訊放大器之單一電源供應，高增益，高線性度，以及低功率損耗的電場板製程增強型異質接面場效應電晶體，而由於磷化鎵銦之材料具有低氧化率，高蝕刻選擇度，低閃爍雜音等優勢，所以我們希望將其應用在增強型異質接面場效應電晶體之開發，除此之外由於增強型異質接面場效應電晶體之電流密度低於傳統空乏型之異質接面場效應電晶體，所以期望利用在閘極與汲極間加入一個電場板來降低閘極與汲極間之電場強度進而提升元件崩潰電壓至40V，藉以提高元件偏壓值與電路之輸出功率密度，此電場板亦會改變表面空乏區之深度藉以使電流傳輸時避開表面缺陷並使雜訊指數降低，所以此製程相當適合來開發出適合5.8GHz 微波功率放大器與低雜訊放大器。除此之外，搭配著磊晶片的設計與製程的改良，我們也希望在增強型異質接面場效應電晶體磊晶片上同時實現出適合低插入損耗與高隔絕性5.8GHz 微波切換開關之空乏型異質接面場效應電晶體，如此即可將適合5.8GHz 無線區域網路晶片中之微波功率放大器，低雜訊放大器以及微波切換開關積體化於一單晶片內。

Project ID:PB9310-0033
External Project ID:NSC93-2215-E182-010