High Breakdown Voltage InGaP E/D Mode pHEMT fro WLAN Application(II)

此兩年期新進人員計畫是利用長庚大學所擁有的高潔靜度無塵室以及高頻元件電路製作及設計能力，配合晶圓磊晶設計以及電場板製程，同時在一個砷化鎵單晶片上完成適合無線區域網路中最高頻段之802.11a(5.2~5.8GHz)射頻通訊積體電路內的微波切換開關，功率放大器與低雜訊放大器等電路，藉以達到射頻通訊電路積體化於一單晶片內之目的，而第一年前半年(93/8~93/12)已經成功實現磷化鎵銦增強型與空乏型異質接面場效應電晶體配合製程步驟實現於同一片磊晶片上，元件初步的量測數據也相當理想，也使此磷化鎵銦空乏型電晶體實現微波切換開關，增強型電晶體實現功率放大器與低雜訊放大器並且將此三種電路實現於一單晶片變為可能。近年來無線區域網路(WLAN)之興起，尤其WLAN 中802.11a 無線區域網路協定將會逐漸在2004 年之後站穩腳步，其高頻，高功率，高線性度之需求也替砷化鎵高速電晶體開創另一扇明窗。此計畫中我們已經開發出適合5.8GHz 微波功率放大器與低雜訊放大器之單一電源供應，高增益，高線性度，以及低功率損耗的增強型異質接面場效應電晶體，而由於磷化鎵銦之材料具有低氧化率，高蝕刻選擇度，低閃爍雜音等優勢，所以我們希望將我們設計的磊晶片所開發之磷化鎵銦異質接面場效應電晶體來製作出適合5.8GHz 微波切換開關，微波功率放大器與低雜訊放大器。第一年前半年我們已經成功開發出磷化鎵銦增強型與空乏型異質接面場效應電晶體，並成功完成直流與高頻參數之量測，相信在建立完元件高頻功率與雜訊模型後，可以成功實現其相關之微波積體電路。

Project ID:PB9408-4470
External Project ID:NSC94-2215-E182-005