High Electrostatic Discharge Handling Ability Flip Chip Light Emitting Diode Fabrications(I)

本計劃主要在研究覆晶型高功率綠光發光二極體的結構(FC-LED)，其中有三個研究重點：(1)LED覆晶基版的研製。(2)綠光反射層的結購，電柱凸塊的成長以及覆晶黏合的技術。(3)抗靜電(ESD)能力的提升以及綠光LED發光效率的提升。在第一年，我們將使用三個不同的子基板ZnO/Si、Gd2O3/Si和HfO2/Si。ZnO/Si子基板具有洩放電壓的能力，Gd2O3/Si和HfO2/Si架構則是具有電容的特性，再有脈衝電流侵入時電容具有短路的能力，將電流洩放掉以保護元件。第二年我們將進行反射層的研究， 雖然銀已經被廣泛地使用在反射的金屬上，但對於其特性仍有存在許多問題，包括黏著特性、歐姆特性、穿透及反射的特性等等，以及如何針對綠光的波長做最佳化。第三年將進行綠光LED與子基板的結合，經由子計畫一的低極化場效應高亮度綠光發光二極體研究成果，渡上反射層厚，再配合子計畫五載保護性基板上成長電柱凸塊之後實際將元件與基板結合，進行一系列的相關特性分析以及參數的最佳化。

Project ID:PB9609-5431
External Project ID:NSC96-2221-E182-052