High Pae 0.1um Aln/Gan/Algan Hemt on Free-Standing Gan Substrate for 5g Fr2 Applications

Project: National Science and Technology Council › National Science and Technology Council Academic Grants

Project Details

Abstract

對於學術研究、國家發展及其他應用方面預期之貢獻方面，本計畫提出5-nm AlN位障層與無缺陷之GaN基板及其磊晶技術，解決氮化鎵在Si、SiC基板晶格不匹配所造成之可靠度等問題，並且透過不同通道層厚度與AlGaN B.B.改善傳統摻雜基板之電流崩塌效應，解決第五代通訊器件所須抗高溫、高生命期、高可靠度的微波毫米波電晶體，並且透過第二年之Angelov來萃取元件模型，開發第五代行動通訓所需氮化鎵元件與模組，同時拓展台灣學術與經濟方面之廣度。

Project IDs

Project ID:PB11307-2069
External Project ID:NSTC113-2221-E182-043-MY2
StatusActive
Effective start/end date01/08/24 → 31/07/25

Keywords

  • GaN
  • HEMT
  • GaN substrate
  • back barrier
  • millimeter-wave
  • the fifth generation mobile communication
  • power amplifier
  • reliability
  • Angelov modeling

Access Project