Project Details
Abstract
本計畫主要目的在於控制氮化鎵磊晶層之缺陷密度，達到提高氮化合物二極體靜電放電耐受能力。計畫內容主要分兩大階段：第一年以經過圖案化的藍寶石晶片為基底的氮化合物二極體為研究重點。第一年的計畫目標為在HBM 模式下，氮化合物二極體的ESD 耐受力可以達到1KV以上。為了降低磊晶層缺陷密度，氮化鎵與PSS 間的成長模式是重要關鍵。我們設計了不同形狀、不同寬度與間距、不同深度的PSS 圖案，且使用RIE與切割機兩種不同方式來製作。並使用有機金屬化學氣相磊晶法成長氮化鎵單層結構，以TEM、AFM 與XRD 等對氮化鎵單層微結構分析討論，以研究缺陷密度與成長模式。後並成長氮化合物二極體全結構，並與一般傳統式氮化合物二極體做光電特性與ESD 的比較分析。第二年以成長氮化合物二極體於碳化矽基板為研究重點。利用碳化矽基板晶格常數較匹配與導電的特性，我們期能在HBM 模式下，氮化合物二極體的ESD 耐受力可以達到2KV以上。在第二階段中，成長碳化矽的緩衝層為結構重要關鍵！我們使用AlN 或AlGaN 為緩衝層材料，並成長製作以SiC 為基板的氮化合物垂直結構二極體。並且我們利用了光激發光譜、霍爾量測與微結構分析儀器來探討不同緩衝層與成長參數對二極體特性的影響。
Project IDs
Project ID:PB9408-4469
External Project ID:NSC94-2215-E182-004
External Project ID:NSC94-2215-E182-004
| Status | Finished |
|---|---|
| Effective start/end date | 01/08/05 → 31/07/06 |
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