Investigation of High-Frquency and Hihg-Power Nitride HEMT on Silicon Substrate(I)

本研究之目的即在利用矽基板開發高頻高功率氮化物電晶體。因有鑑於氮化鎵材料有寬能隙和強大的壓電效應，使得氮化鋁鎵/氮化鎵異質場效電晶體( AlGaN/GaN HFET)於元件上有高的崩潰電壓和高的載子濃度，因此越來越多的AlGaN/GaN HFET 運用於高電壓、高功率、高溫的微波元件。最近，由於氮化鎵磊晶的技術進步，相對也使AlGaN/GaN HFET 的直流和高頻的特性也有長足的改進。再者利用Si 基板上成長III-V 族化合物半導體具有下列幾項優點：１導電性基板(可簡化製程及降低成本)；２優良導熱性行為(1.5 W-cm-1 可供大功率元件應用)；３大面積(可至12 吋) ；４可結合目前以矽為主的半導體技術。而且在目前積體電路技術方面仍然以矽晶圓技術為主流，故以矽基板所製作的高速元件技術比較容易與目前技術整合。故本研究將配合子計劃一之磊晶結果，製作高頻高功率電晶體，並探討元件蕭基接面及歐姆接面之金屬化製程研究，以確保HEMT 元件之良善;並配合子計劃三之蛋白質感測元件，量測分析元件特性及提供改善方案。由直流特性及交流等效電路所得之參數，除可作為元件改善之參考外，亦可用來作為整合電路模擬參數之用。

Project ID:PB9508-4032
External Project ID:NSC95-2221-E182-061