Project Details
Abstract
對於學術研究、國家發展及其他應用方面預期之貢獻方面，本計畫首先提出無熱脹緩衝層高阻碳化矽基板及其磊晶技術，解決氮化鎵採用矽基在基板晶格失配問題且熱膨脹係數不匹配問題，並且也改善傳統碳化矽基板潛在buffer缺陷以及散熱問題，解決第五代通訊器件所須抗高溫、高生命期、高可靠度的微波毫米波電晶體，並且配合製程以及磊晶技術來再一次提升氮化鎵高頻效能，開發第五代通所需氮化鎵器件，同時拓展台灣學術與經濟方面之廣度。
Project IDs
Project ID:PB11207-2661
External Project ID:NSTC112-2221-E182-068
External Project ID:NSTC112-2221-E182-068
| Status | Finished |
|---|---|
| Effective start/end date | 01/08/23 → 31/07/24 |
Keywords
- GaN
- HEMT
- SiC substrate
- thermal-free GaN buffer layer
- millimeter-wave
- MBE regrowth
Fingerprint
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