Research and Development of Single Chip Microwave and Millimeter-Wave Receivers Constructed in Submicron CMOS Technology

近年來矽晶片積體電路技術的進步與發展，使得許多無線傳輸系統中的射頻電路亦可採用矽晶片製程來製作；由於金氧半場效電晶體的奈米製程技術發展快速，而且根據本實驗室在以往所研製的金氧半場效電晶體電路，我們相信若採用適當的電路結構應可將數位電視廣播降頻器的所有電路整合在一單晶片上；而且在另一個更高的工業，科學和醫用頻段(24GHz)，若採用更先進的製程技術，應可使用類似的設計理念來實現該頻段的低雜訊降頻器。因此本計畫擬在以往已建立的基礎上以三年的時間來發展以0.18 微米及0.13 微米金氧半場效電晶體製程技術設計並製作工作頻率在12GHz 及24GHz 的單晶片低雜訊降頻模組其中包括有低雜訊放大器、混波器、振盪器、鎖相迴路電路以及一個晶片鏡頻拒斥濾波器；在設計上將採用創新之電路結構如自偏式低雜訊放大器、微型化鏡頻拒斥濾波器及新型吉伯特混波器將射頻訊號降至中頻；在降頻器中的本地振盪源是採鎖相迴路形成的頻率合成器其中振盪器的設計則是採用互補耦合考畢茲壓控振盪器架構，然後再加上除頻、控制電路及迴路濾波器成為一個整數型鎖相迴路電路；最後再將上述電路整合在同一個晶元以達成電路小型化、單偏壓電源及低功率的設計目標。

Project ID:PB9607-2376
External Project ID:NSC96-2221-E182-003