Simulation and Modeling of Continuous-Wave Laser-Recrystallization and Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors(I)

本計畫的目的是發展以連續波雷射再結晶之複晶矽薄膜電晶體的模型與相關模擬分析。我們將從開發連續波雷射再結晶之製程模擬開始，以實驗分析配合模擬校正得到續波雷射再結晶之晶粒分佈。然後藉由得到之晶界特徵，以電荷陷阱的方式加入元件模擬，就可以用數值方法模擬薄膜電晶體內部的電位及電流。然後根據數值模擬的結果找出具物理意義的電流-電壓特性曲線的近似分析模型，以掌握晶粒分佈對薄膜電晶體直流電性的影響，再經過薄膜電晶體電性分佈分析，完成薄膜電晶體的電流-電壓特性元件模型。最後我們將發展電路模擬所需之動態模型。利用元件模擬分析薄膜電晶體在不同偏壓下的電荷分佈，可以分析薄膜電晶體的電容電壓曲線，然後隨時間變化施以不同偏壓模擬薄膜電晶體的暫態行為，則可以得到各項雜散電容的影響，再配合先前建立的直流模型，將能得到薄膜電晶體的動態模型，建構出一個完整的連續波雷射再結晶薄膜電晶體之電腦輔助模擬系統。所建立之模型及模擬分析將與實際製程與實際量測之薄膜電晶體電性進行比較，並與實際電路進行測試。

Project ID:PB9310-0032
External Project ID:NSC93-2215-E182-009