Studies and Implementations of Lightwave-Microwave Mixing Technologies(I)

隨著光與微波技術成熟，對微波及光子混合功能的積體化晶片越來越顯得重要。砷化鎵(GaAs)高電子遷移率電晶體(HEMT)是單石光電積體電路(OEIC)的基本構件，它能夠嵌入於單晶片中作為檢光器。把 HEMT 用作 OEIC 上的光學阜，同時將平移本地振盪信號加於 HEMT 上作為混頻的元件。在此計畫中，我們將致力於 GaAs 異變結構高電子遷移率電晶體(M-HEMT)中光波信號與調變微波信號混合技術的研究及開發。首先蒐集有關 M-HEMT OEIC 的資料，其次提出這方面設計問題的努力方向、評估相關的影響、以及完成最佳化系統設計，最後實現光波-微波 GaAs M-HEMT OEIC 的開發。初始階段(第一年)我們推出一個可行的架構並預測它的效能、成果。接著集中在光輸入信號的參數和裝置的特性分析，?混合機製作些簡略的理論探討及電腦軟體的模擬。此外，對於M-HEMT高頻響應的分析，包括入射的光功率、光調變深度以及閘極電壓的影響。其次我們將進行 GaAsM-HEMT 晶粒(chip) 的設計、分析、製作。在研究的後段，我們將開發及實現一種新的光纖-射頻的擷取節點，實現於OEIC 上，且調變微波頻寬可達38GHz，基頻頻寬可達1GHz。最後利用系統實驗的方法比較M-HEMT OEIC 中頻響應的效能和雜訊指數，以及與使用PIN 檢光器/Schottky 混合器的情況下作比較。

Project ID:PB9308-3959
External Project ID:NSC93-2215-E182-008