The Development of E-Mode Rf Gan Hemt on 8-Inch Sic for 6g Fr-3 Band Application( I )

本計劃主要是對5G/6G無線行動通訊市場做個完整的了解，朝向了5G/6G通訊未來兩年將漸漸由FR1頻段往FR3前進, 當實際應用方向被國際大廠所確認與要求台灣代工廠後,此產學合作案希望能夠利用學校在此方面研究的前導性性能的元件導入產學計劃,本產學合作案核心價值展望市場主要是面對2026年FR3頻段Smallcell與FWA等Infrastructure上射頻模組功率放大器市場需求,搭配台灣優勢配合台灣半絕緣碳化矽基板新興公司強化台灣半絕緣碳化矽基板至八吋，建立高基板技術門檻抵抗大陸劣質碳化矽基板削價競爭，並且台灣台積電，聯電，力積電，世界先進都有八吋GaN on Si功率元件規劃，如果能成功開發GaN on SiC八吋基板磊晶片與微波元件技術，可以再次活化台灣多餘八吋產能外，也可以進一步推廣GaN on SiC應用至衛星通訊，低空經濟(無人機無線電) ，5G/6G無線通訊基站等功率放大器模組產業。而產學合作計畫學校優勢長庚大學已經有六吋GaN on SiC相關微波元件磊晶與製程開發經驗，並串聯磊拓在碳化矽基板產業，台亞集團與晶電(富采)集團磊晶產業，工研院與聯穎光電製程開發經驗，同欣與南研高頻封裝產業，全智與臻品科技的高頻chip probing 與final testing測試產業，以及未來潛在客戶中磊，啟碁，友訊，鴻海(台揚)等網通微波設計模組公司產業。對台灣的商務上來講目前化合物半導體最大的代工廠前三名全部都在台灣,要持續保持在相關領域的競爭力以及經濟性,必須要持續往新市場開發,對於學術發展部分高頻元件的磊晶結構製程技術以及詳細的學術發展能夠在產業界得到持續的改善,同時本紀同時輔導台灣半絕緣碳化矽基板公司,並推廣到六吋場與八吋物化合物半導體工廠,使無線通訊射頻模組代工部分能夠成為台灣另一個護國神山,以高技術瓶頸之技術可以避免中國大陸在六吋或八吋半導體的削價競爭，對台灣的社會跟經濟影響有蠻大的助益

Project ID:PB11407-8851
External Project ID:NSTC114-2622-E182-003