The Study of InAlN/InGaN Metamorphic HEMT Epitaxial Structrues

本計畫主要目的在於研究發展以有機金屬化學氣相磊晶法成長介穩式（metamorphic）InAlN/InGaN 高溫、高功率之高電子移動率電晶體磊晶結構。計畫內容主要涵蓋兩大主題：InAlN 三元氮化物之磊晶成長研究以及以介穩式緩衝層成長高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）。其中，氮化銦鋁（InAlN）的成長方面主要是研究探討InxAl1-xN磊晶成長過程中，不同磊晶條件的控制對相位分離（phase separation）現象的影響，同時，也將分別針對高鋁含量（Al-rich）與高銦含量（In-rich）之氮化銦鋁薄膜的光學特性以及電性做進一步的探討分析；而在介穩式緩衝層成長高銦含量氮化銦鎵的研究方面，主要是利用接面步階漸變的方式逐漸提高InxGa1-xN 中的銦莫爾比，同時漸變釋放因晶格常數不匹配所造成之材料內應力。基於上述兩大主題之研究成果，本計畫將進一步成長metamorphic InAlN/InGaN 異質結構，利用調變不同鋁、銦含量比例探討分析此一結構中二維電子雲（2-DEG）的特性行為，藉以評估metamorphic InAlN/InGaN 高功率之高電子移動率電晶體的發展潛力。

Project ID:PB9308-3958
External Project ID:NSC93-2215-E182-007