InGaN太陽能電池特性與技術發展

Chia-Lung Tsai, 周 以倫, 吳 孟奇

Research output: Contribution to journalJournal Article peer-review

Abstract

對太陽能電池而言,寬能隙III-V nitride-based化合物半導體-氮化銦鎵(InxGa1-xN),由於是直接能隙,可有效提高光吸收係數(105 cm-1 @ 3.2 eV);此外,經由不同In成分所組成的合金(alloy)其能隙可由0.7變化至3.4 eV,幾乎涵蓋了整個太陽輻射頻譜;材料中載子的有效質量較小有助於提高載子遷移率及飽和速度;縱使材料中差排密度很高(threading dislocation density, 106 ~ 1010/cm2),依舊擁有較長的載子生命活期(~ 6.5 ns);同時,材料本身擁有可承受較大的輻射量(radiation tolerance)的特點。因此若以InGaN材料來實現高效率太陽電池將有實質助益。
Original languageChinese (Traditional)
Pages (from-to)465-474
Journal電信研究
Volume39
Issue number4
StatePublished - 2009

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