InGaN太陽能電池特性與技術發展

對太陽能電池而言，寬能隙III-V nitride-based化合物半導體－氮化銦鎵(InxGa1-xN)，由於是直接能隙，可有效提高光吸收係數(105 cm-1 @ 3.2 eV)；此外，經由不同In成分所組成的合金(alloy)其能隙可由0.7變化至3.4 eV，幾乎涵蓋了整個太陽輻射頻譜；材料中載子的有效質量較小有助於提高載子遷移率及飽和速度；縱使材料中差排密度很高(threading dislocation density, 106 ~ 1010/cm2)，依舊擁有較長的載子生命活期(~ 6.5 ns)；同時，材料本身擁有可承受較大的輻射量(radiation tolerance)的特點。因此若以InGaN材料來實現高效率太陽電池將有實質助益。