每年研究計畫-專案
個人檔案
學歷
博士, 中央大學,臺灣
教授課程
高速半導體元件
電子電路實驗
電子學
電波工程實驗
電子電路實驗
電子學
電波工程實驗
與 UN SDG 相關的專業知識
聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
Keywords
- 氮化鎵發光元件與高崩潰電壓場效電晶體
- 砷化鎵深次微米高速電子元件製作與模型
- 微波工程與毫米波積體電路
- 原子層沈積技術與氧化鋅薄膜電晶體
指紋
查看啟用 Hsien-Chin Chiu 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 相近領域學者
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
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第五代行動通訊FR2頻段氮化鎵基板上0.1微米AlN/GaN/AlGaN高效率微波電晶體開發
Chiu, H.-C. (PI)
01/08/25 → 31/07/26
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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應用於第六代行動通訊FR3頻段高效率功率放大器之八吋碳化矽基板上增強型氮化鎵微波場效應電晶體研製( I )
Chiu, H.-C. (PI)
01/06/25 → 31/05/26
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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第五代行動通訊FR2頻段氮化鎵基板上0.1微米AlN/GaN/AlGaN高效率微波電晶體開發
Chiu, H.-C. (PI)
01/08/24 → 31/07/25
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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採用氮化鎵製程技術實現高效率低軌衛星之射頻前端發射機( II )
Kao, H.-L. (PI) & Chiu, H.-C. (CoPI)
01/06/24 → 31/05/25
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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以無熱障緩衝層設計實現第五代行動通訊基地台之高功率密度氮化鎵微波電晶體
Chiu, H.-C. (PI)
01/08/23 → 31/07/24
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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High Power Added Efficiency Enhancement-Mode Γ-Gate RF HEMT with Engineered Mg Doping Profile in p-GaN Layer
Chiu, H. C., Huang, C. R., Chiu, C. W., Lin, C. H., Yu, C. H., Kao, H. L. & Lin, B., 2025.研究成果: 會議稿件的類型 › 論文 › 同行評審
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High Power Added Efficiency Enhancement-Mode Ґ-Gate RF HEMT With High/Low p-GaN Doping Profile
Chiu, H. C., Huang, C. R., Lin, C. H., Yu, C. H., Kao, H. L., Lin, S. Y. & Lin, B., 2025, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 13, p. 285-289 5 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
The Effect of Dual-Layer Carbon/Iron-Doped Buffers in an AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor
Chang, P. H., Huang, C. R., Liu, C. H., Lee, K. W. & Chiu, H. C., 09 2025, 於: Micromachines. 16, 9, 1034.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
開啟存取 -
Vertical GaN Schottky barrier diodes with micrometer pillar Schottky contacts
Zhu, R., Li, B., Li, S., Ma, Z., Yang, H., He, S., Huang, S., Xiong, X., Chiu, H. C., Li, X., Zhang, B. & Liu, X., 10 03 2025, 於: Journal of Physics D: Applied Physics. 58, 10, 105103.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
開啟存取 -
Vertical GaN Schottky barrier diodes with ohmic contact on N-polar by the atomic layer deposition of aluminum oxide interfacial layer
Yang, Y., Ma, Z., Jiang, Z., Li, B., Gao, L., Li, S., Lin, Q., Liu, H., Xu, W., Chen, G., Zhang, C., Liu, Z., Chiu, H. C., Kuo, H. C., Ao, J. P. & Liu, X., 15 01 2025, 於: Applied Surface Science. 679, 161268.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus）
活動
- 1 参加会议、研讨会，…
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2025 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, CS MANTECH 2025
Chiu, H.-C. (參加者)
19 05 2025 → 22 05 2025活動: Participating in a conference, workshop, ...