王 哲麒

研究產出

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每年研究產出

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• 2010

  Improved characteristics of Gd₂O₃ nanocrystal memory with substrate high-low junction

  Wang, J. C., Lin, C. T., Lai, C. S., Hsu, J. L. & Ai, C. F., 12 2010, 於: Solid-State Electronics. 54, 12, p. 1493-1496 4 p.

  研究成果: 期刊稿件 › 快報 › 同行評審

  • Memory 100%
  • Nanocrystal 100%
  • Injection 14%
  • Endurance 14%
  7 引文 斯高帕斯（Scopus）