林 瑞明

研究產出

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每年研究產出

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• 1996

  Material properties of compositional graded In_xGa_1-xAs and In_xAl_1-xAs epilayers grown on GaAs substrates

  Chyi, J. I., Shieh, J. L., Pan, J. W. & Lin, R. M., 01 06 1996, 於: Journal of Applied Physics. 79, 11, p. 8367-8370 4 p.

  研究成果: 期刊稿件 › 文獻綜述 › 同行評審

  • Materials Property 100%
  • Gallium Arsenide 100%
  • Epilayers 100%
  • Growth 100%
  • Buffer Layer 66%
  66 引文 斯高帕斯（Scopus）