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半導體元件物理及特性
半導體元件物理導論
先進高介電層材料及其應用
固態電子學
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學歷
博士, 印度理工學院,印度
與 UN SDG 相關的專業知識
聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
指紋
查看啟用 Siddheswar Maikap 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 相近領域學者
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
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用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層
Maikap, S. (PI) & Chen, Y.-P. (CoPI)
01/08/24 → 31/07/25
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層
Maikap, S. (PI)
01/08/23 → 31/07/24
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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矽摻雜之二氧化鉿與新穎氮化矽界面封蓋層用於鐵電穿隧接面及神經形態應用
Maikap, S. (PI)
01/08/22 → 31/07/23
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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以新設計之鑭參雜二氧化鉿頂部電極運用在具有鐵電和神經形態特性的鎢／鑭參雜二氧化鉿／鎢結構的鐵電場效電晶體用於未來人工智慧的應用上
Maikap, S. (PI)
01/08/21 → 31/07/22
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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基於鉭界面層的新型銅/鉭/二硫化鉬/鎢交叉點電阻切換記憶體運用在人工智慧的神經型態分析研究(I)
Maikap, S. (PI)
01/08/19 → 31/07/20
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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Analog-based synapse of double HfZrO2 ferroelectric FETs with homogeneous phase by superlattice HfO2-ZrO2 toward energy efficient accelerator
Maikap, S., Chang, F.-S., Chang, Y.-T., Hsiang, K.-Y., Lee, J.-Y., Lee, M. H., Liu, C. W., Lou, Z.-F. & Senapati, 05 2024, 於: IEEE Transactions on Materials for Electron Devices. 1, 1, p. 11 - 14研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
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Low Polarization Loss of Long Endurance on Scavenged Ru-Based Electrode Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2by Optimizing TiNxInterfacial Capping Layer and Its Fatigue Mechanism
Senapati, A., Lou, Z. F., Lee, J. Y., Chen, Y. P., Huang, S. Y., Maikap, S., Lee, M. H. & Liu, C. W., 01 04 2024, 於: IEEE Electron Device Letters. 45, 4, p. 673-676 4 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Low polarization loss of long endurance on scavenged Ru-based electrode ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 by optimizing TiNx interfacial capping layer and its fatigue mechanism
Maikap, S., Chen, Y.-P., Huang, S.-Y., Lee, J.-Y., Lee, M.-H., Liu, C. W., Lou, Z.-F. & Senapati, 04 2024, 於: IEEE Electron Device Letters. 45, 4, p. 673 - 676研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
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Low voltage high polarization by optimizing scavenged WNx interfacial capping layer at the Ru/HfxZr1-xO2 interface and evidence of fatigue mechanism
Aich, A., Senapati, A., Lou, Z. F., Chen, Y. P., Huang, S. Y., Maikap, S., Lee, M. H. & Liu, C. W., 14 08 2024, 於: Advanced Materials Interfaces. 11, 23, p. 1 - 11 11 p., 2400185.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
開啟存取 -
Unleashing Endurance Limits of Emerging Memory: Multi-Level FeRAM Recovery Array Empowered by a Coordinated Inverting Amplifier Circuit
Hsiang, K. Y., Chang, F. S., Lou, Z. F., Aich, A., Senapati, A., Lee, J. Y., Li, Z. X., Chen, J. H., Liu, C. H., Liu, C. W., Maikap, S., Su, P., Hou, T. H. & Lee, M. H., 01 04 2024, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 4, p. 2708-2713 6 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus）