每年研究計畫-專案
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先進記憶體元件
奈米材料與元件
學報討論
半導體元件物理及特性
半導體元件物理導論
先進高介電層材料及其應用
固態電子學
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先進高介電層材料及其應用
固態電子學
學歷
博士, 印度理工學院,印度
與 UN SDG 相關的專業知識
聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
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SDG3 健康與福祉 -
SDG7 可負擔能源 -
SDG9 工業、創新基礎建設
指紋
查看啟用 Siddheswar Maikap 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 相近領域學者
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
研究計畫-專案
- 22 已完成
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用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層
Maikap, S. (PI) & Chen, Y.-P. (CoPI)
01/08/25 → 31/07/26
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層
Maikap, S. (PI) & Chen, Y.-P. (CoPI)
01/08/24 → 31/07/25
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層
Maikap, S. (PI)
01/08/23 → 31/07/24
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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矽摻雜之二氧化鉿與新穎氮化矽界面封蓋層用於鐵電穿隧接面及神經形態應用
Maikap, S. (PI)
01/08/22 → 31/07/23
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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以新設計之鑭參雜二氧化鉿頂部電極運用在具有鐵電和神經形態特性的鎢／鑭參雜二氧化鉿／鎢結構的鐵電場效電晶體用於未來人工智慧的應用上
Maikap, S. (PI)
01/08/21 → 31/07/22
研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助
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3-D Vertical Ferroelectric FETs for Nonvolatile Memory Design With Prolonged Retention Mechanism and Triple-Level Cell (TLC) by Voltage/Width Modulation
Lee, J. Y., Lou, Z. F., Aich, A., Lin, Y. D., Maikap, S., Cheng, I. C., Chen, T. & Lee, M. H., 01 06 2026, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 73, 6, p. 3551-3556 6 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
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Ferroelectric Memcapacitor on SOI for High Capacitive Ratio by Mechanism of Depletion Capacitance Modulation Toward Dimension Scaling Down
Lou, Z. F., Chen, B. R., Aich, A., Chen, J. H., Chang, S. T., Maikap, S., Su, P. & Lee, M. H., 02 2026, 於: IEEE Electron Device Letters. 47, 2, p. 277-280 4 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
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Sub-2 nm Equivalent-Oxide-Thickness Ferroelectric Transistors for Cryogenic Memory and Computing
Das, A., Senapati, A., Kumar, G., Lou, Z. F., Müller, J., Maskeen, J. S., Chang, Y. T., Tewari, M., Agarwal, A., Paul, A., Raffel, Y., Maikap, S., Kao, K. H., Agarwal, T., Lashkare, S., Lu, D., Larrieu, G., Lee, M. H. & De, S., 14 04 2026, 於: ACS Nano. 20, 14, p. 10905-10918 14 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Symmetry-Guided Functional Pathways of Intercalation-Free Rhombohedral (R3) Hafnia Derived from the Fluorite Phase for Low-Coercive Ferroelectric Memory
Januar, M., Liu, C. H., Aich, A., Lee, J. Y., Maikap, S. & Lee, M. H., 15 04 2026, 於: ACS Applied Materials and Interfaces. 18, 14, p. 20624-20634 11 p.研究成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
記憶體單元及其製造方法
Maikap, S. (Inventor), Chen, Y.-P. (Inventor), AICH, A. (Inventor), SENAPATI, A. (Inventor), LEE, M.-H. (Inventor) & LOU, Z.-F. (Inventor), 01 05 2026, IPC 號 H10B 53/00(2023.01); H10B 53/30(2023.01); H10N 97/00(2023.01), 專利號 I924388研究成果: 專利
活動
- 3 参加会议、研讨会，…
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55th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (IEEE SISC)
Maikap, S. (參加者)
11 12 2024 → 14 12 2024活動: Participating in a conference, workshop, ...
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22nd International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD)
Maikap, S. (參加者)
14 12 2023 → 17 12 2023活動: Participating in a conference, workshop, ...
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26th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2023
Maikap, S. (參加者)
11 06 2023 → 12 06 2023活動: Participating in a conference, workshop, ...