應用於第五代行動通訊微基站之50奈米閘極氮化鎵場效應電晶體及其高效益功率放大器研製

台灣已經積極佈局第五代行動通訊( 5G LTE)行動上網服務，目前5G 技術將可能使用的頻譜是28GHz 及60GHz，幾乎接近毫米波頻段，比一般電訊業現行使用的頻譜（如2.6GHz）高出許多，然而對於其 5G 頻段基地台涵蓋範圍、頻寬不足之原因就因為台灣電信業者本身無相關技術，然而中國與韓國目前在研究5G 系統已經領先亞洲地區，因為台灣5G 基地台系統頻寬不足這些問題就在於台灣雖然在半導體工業製作能力雖強但是對於終端產品與系統的深耕卻是缺乏的，所以本計畫第一年提出以六吋SOI 基板上實現高增益高電壓操作之氮化鋁銦/氮化鎵(InAlN/GaN)高功率微波場效應電晶體，並搭配低破性壞多循環蝕刻與奈米化閘極(LG=50nm)提升元件高頻特性，同時在SOI 基板上做離子佈值與微機電技術搭配類鑽碳同步改良電晶體可靠度，第二年利用變溫低頻雜訊來判定InAlN/GaN 晶格匹配異質結構場效應電晶體之磊晶品質並計算缺陷活化能位置判定其缺陷種類，並輔助以利用四個偏壓操作區域stress 來驗證InAlN/GaN HEMT 之可靠度劣化機制，同時為了電路設計開發具有描述缺半導體缺陷與熱效應之大訊號模型。第三年在同步考慮電晶體封裝之寄生效應與熱流計算來設計實現Doherty 功率放大器企圖達到28GHz 下10Watt 微波功率輸出，所以本計畫能夠從前瞻氮化鋁銦/氮化鎵高功率微波電晶體的研製開始，加入了電晶體可靠度分析與量測的元素，最後實現能夠實際量產與使用的寬頻高線性度功率放大器之系統，深耕台灣通訊基地台工業實力。

系統編號:PB10608-3660
原計畫編號:MOST106-2221-E182-064