採用氮化鎵製程技術實現高效率低軌衛星之射頻前端發射機( II )

Kao, Hsuan-Ling (PI)
Chiu, Hsien-Chin (CoPI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

本計畫首先提出採用氮化鎵製程技術實現高效率低軌衛星之射頻前端發射機，提供低軌衛星系統晶片所須抗高溫、高生命期、高可靠度的GaN製程所構成的MMIC PA，並且針對轉換效率的提升使用了諧波控制架構，最後針對特性及可靠度的分析進行完整的評估，第二年VCO及Mixer子電路也都為了效率提升及線性度的平衡提出了適合的架構，最後實現低軌衛星衛星所需功率放大器、振盪器及混頻器器晶片提升線性度與效率，最後實現以模組型式完成晶片整合。在執行計畫過程中，學生可以受到相關半導體製程與量測之訓練以及可靠度與電路設計系統整合經驗，使學校方面之訓練能夠順利與業界之訓練相連接。

Project IDs

系統編號:PB11306-0299
原計畫編號:NSTC113-2622-E182-001

狀態	進行中
有效的開始/結束日期	01/06/24 → 31/05/25

Keywords

電子電機工程
低軌衛星
功率放大器
振盪器
混頻器
射頻前端
第六代行動通訊

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=16382598

採用氮化鎵製程技術實現高效率低軌衛星之射頻前端發射機( II )

研究計畫-專案詳細資料

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