研究計畫-專案詳細資料
摘要
本研究計畫的目標最終能做出整合之氮化鎵功率HEMT 模組,具有高散熱能力且抗ESD 的可靠性能,期望可輸出功率可達20 瓦以上。在第一年的計畫中,本實驗室是以開發出閘極長度為1mm 的功率HEMT 元件為目標,同時進行元件切割分離以及初步覆晶研究。在已過半年的計畫中,我們已將稀土(RE)氧化物形成MOS 結構閘極的HEMT 初步完成;並嘗試將HEMT 元件分割並覆晶。我們使用覆晶結構的主要目的是為了要解決元件散熱的問題;HEMT 的動作層比較靠近下方,可以直接經由覆晶導電柱將熱量直接傳導至高散熱基板(如氮化鋁)達到散熱目的。第二年除將繼續分析研究出最適合的RE 氧化物,以提高元件特性外,並研製具有匹配阻抗之且具有ESD 保護性能之子基板電路,並將HEMT 電極鍍金層厚度增加並回火,同時調整鍵合參數;諸如超音波功率溫度時間壓力等等,並進行推力測試研究分析,將HEMT 與AlN 子基板鍵合能力加以提升,預期完成單顆5W 輸出之FCHEMT 元件。將HEMT 覆晶的另外一個優點是可同時將很多個分離之HEMT 藉由覆晶的方法,覆在同一塊基板上達到集體化的目的,此方向亦為本研究計畫的最終(第三年)目標。
Project IDs
系統編號:PB9808-2392
原計畫編號:NSC98-2221-E182-058
原計畫編號:NSC98-2221-E182-058
狀態 | 已完成 |
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有效的開始/結束日期 | 01/08/09 → 31/07/10 |
Keywords
- 電子電機工程
- 覆晶
- 散熱
- 抗靜電
- 高電子遷移率電晶體
- 金氧半場效應電晶體
指紋
探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。