具有保護性子基板之微波元件覆晶技術研究(III)

本研究計畫將研製對氮化鎵高載子遷移率場效電晶體(GaN-HEMT) 的微波特性影響降到最低的情況下，仍能擁有兼具有高散熱能力和高靜電防護可靠性能的覆晶鍵合多晶HEMT 模組。由於散熱問題會限制GaN 功率電子元件的性能，而抗靜電力低下是目前大尺寸功率GaN 元件普遍的問題，因此本計畫擬使用覆晶技術於AlN 高散熱基板來解決散熱之問題，同時更研製橫向MIM 電容結構於子基板上來達到抗ESD 的目的。之前在第一年計畫中，雖然垂直式MIS 電容性結構的子基板確實具有靜電防護特性，在高頻特性下卻可能造成HEMT 元件的插入損失。因此，本研究計畫希望研製藉由改變子基板垂直MIS 電容結構成為橫向MIM 電容結構，將對高頻微波特性的影響降到最低的情況下，仍能擁有兼具有散熱能力和靜電防護能力。另外，本計畫還打算使用高介電材料或ZnO 薄膜應用於覆晶子基板上，研究比較不同材料靜電保護機制的優劣。此外，由於單顆大型功率元件製作不易，若要再增加輸出功率，勢必增加閘極之寬長比，困難度將會呈倍數的增加。因此，本計畫還打算將多個power HEMT 透過考慮子基板上的匹配電路結合成一個大型power HEMT 模組，並能達到每模組有10W 的功率輸出。

系統編號:PB9907-8620
原計畫編號:NSC99-2221-E182-057