具有保護性子基板之微波元件覆晶技術研究

隨著資訊、通信與光電產業的快速發展，電子產品逐漸走向高性能和高頻率的方向演進，且晶片尺寸逐漸小型化，造成電子元件的發熱密度越來越高，因此，電子產品之散熱可說是當前電子相關業者決定其產品的穩定性的重要要素。散熱機制的好壞，會直接影響電子產品的可靠性和使用壽命等，而且因熱能產生的熱應力，會破壞材料的物理性質，因此在設計高頻率、高功率的元件時，便需要將散熱的問題一起考慮。因此本計劃將提出一覆晶架構，即是將HEMT元件或是其他通信積體電路元件，以覆晶的方式將晶片覆晶在子基板上，利用電柱或金球連結子基板與晶片的電極，形成一散熱的管道，因HEMT元件通常是使用於高頻高功率的環境，所以使用覆晶技術可增加散熱能力提高耐用度等優點。當然覆晶時候採用植球技術時之植球大小，球墊基材，基板溫度，對於植球後之耐力大小有絕對之關係，採用超音波連接還是熱壓合技術，或是電鍍導電柱時候之表面處理以及各種電鍍化學條件也是研究重點。此外，子基板上在高頻之下的訊號取出，阻抗匹配Transformer設計以致於抗靜電能力(突波抑制洩放能力)，均是本計劃之研究重點

系統編號:PB9709-3585
原計畫編號:NSC97-2221-E182-052