研究計畫-專案詳細資料
摘要
隨著各式各樣不同材料的金屬氧化物陸續的被應用於非揮發性電阻式記憶體中，利用二元金屬氧化物來作為電阻層已漸漸的受到重視。然而對以於二氧化鉿來作為電阻層的研究，其實是相當的少見。本計畫以其原子層沉積技術來長二氧化鉿，作為電阻式記憶體的氧化層，進一步的將既有的轉態特性做更詳盡的研究與探討。在計畫的第一年當中，會先觀察溫度效應對於元件的影響，及元件可靠度、耐久力之研究，了解材料結構、溫度及製程條件的不同所帶來的影響。第二年，整個研究的重心在於研究二氧化鉿氧化層表面對於轉態特性的關係。藉由不同的表面處理方式，來探討表面處理對於元件所帶來的影響。會分別以不同沉積上電極製程、不同的濕式及乾式蝕式、不同的退火條件，來探討一連串的表面處理。其次，再換上不同上電極及沉積出堆疊結構，試以提出物理模型，來解釋二氧化鉿作為電阻層之轉態物理機制行為。相信這一連串的研究，對於以二氧化鉿來作為二元金屬氧化物在電阻式記憶體之中的轉態特性會有更深入的了解。
Project IDs
系統編號:PB9709-3589
原計畫編號:NSC97-2221-E182-055
原計畫編號:NSC97-2221-E182-055
| 狀態 | 已完成 |
|---|---|
| 有效的開始/結束日期 | 01/08/08 → 31/07/09 |
Keywords
- 電子電機工程
- 原子層沉積技術
- 電阻轉態機制
- 電阻式記憶體
- 二氧化鉿
指紋
探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。