設計與研製具氮化鋁鎵/氮化鋁超晶格吸收層之非平面型金屬-半導體-金屬光電二極體及其在紫外光通訊的應用

Tsai, Chia-Lung (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

著眼於紫外光通訊擁有諸多優點，再加上其可與傳統無線通訊一起應用於5G行動網路或物流網，因此本計畫預計開發構建於MSM PD的紫外光通訊系統。為了解決傳統UV PD (AlGaN/GaN buffer/sapphire)磊晶品質不佳的問題，本計畫擬最佳化應力調整層結構以磊晶成長高鋁(x ＞ 0.4)含量AlxGa1-xN，此外，我們將以AlGaN/AlN超晶格結構作為光吸收層並研製適用於紫外光通訊的非平面型MSM PD。實驗上，利用直線或非直線視距光通道並配合適當的調變技術或以角度分集接收後系統的傳輸性能將可達200 Mbit/s，計畫研究成果預期可進一步拓展UV PD的應用領域或經濟規模。

Project IDs

系統編號:PB11107-8615
原計畫編號:MOST110-2221-E182-056-MY2

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/22 → 31/07/23

Keywords

電子電機工程
磊晶成長
應力調整層
氮化鋁鎵/氮化鋁超晶格
金屬-半導體-金屬光電二極體
紫外光通訊

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=14513171

設計與研製具氮化鋁鎵/氮化鋁超晶格吸收層之非平面型金屬-半導體-金屬光電二極體及其在紫外光通訊的應用

研究計畫-專案詳細資料

摘要

Project IDs

Keywords

存取研究計畫-專案

指紋