使用固態元件製作高功率射頻放大器設計方法之研究

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) 國家科學及技術委員會學術補助

研究計畫-專案詳細資料

摘要

本計畫主要為發展固態元件的高功率射頻放大器設計與製作之科技,由於近年來固態元件如氮化鎵(GaN)的快速發展¸,使得它的操作電壓可3~5 倍高於砷化鉀電晶體,並且相對於砷化鉀電晶體在每單位柵極寬度下能有大約兩倍的容許電流;這些特性對PA 設計有一個重要的影響,就是可容許較高的負載阻抗來達成所需的輸出功率,也使得氮化鎵高功率放大器成為未來國防工業之重要零組件;因此在此一計畫擬建立100 瓦特並可工作在0.5~2.5GHz的氮化鎵射頻放大器的自主設計及製作能力以因應未來國防工業之需要。

Project IDs

系統編號:PB10602-0173
原計畫編號:MOST106-2623-E182-001-D
狀態已完成
有效的開始/結束日期01/01/1731/12/17

Keywords

  • 電信工程
  • 固態元件功率放大器
  • 氮化鎵功率放大器
  • 微波放大器

指紋

探索此研究計畫-專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。