發展差分霍爾量測技術以探討植入摻雜之近室溫活化機制

Chang, Ruey-Dar (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

目前記憶體內運算已成為延續摩爾定律重要的議題，三維積體電路是必須發展的方向。本計畫開發適用於低溫高缺陷條件下的差分霍爾量測技術，釐清摻雜近室溫活化的機制，協助導入低溫離子製程於三維積體電路，可望在學理及實務上皆有所貢獻。

Project IDs

系統編號:PB11307-2602
原計畫編號:NSTC113-2221-E182-042-MY2

狀態	進行中
有效的開始/結束日期	01/08/24 → 31/07/25

Keywords

電子電機工程
離子植入
霍爾量測
活化
缺陷
鍺

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=16562001