利用應力補償結構開發氮化鋁鎵激子對放射深紫外光發光二極體之研製

Lin, Ray-Ming (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

UVB LED近年在皮膚病症上有許多光療的應用，對於光療之光源發光頻譜需求要盡可能的窄。我們藉由先前的實驗基礎希望可以進一步釐清並改善UVB LED發光效率，除了通過應變補償的技巧增加電洞數並使電子電洞直接複合的速率更快外，藉由改變量子井的奈米結構寬度提升激子的複合速率，也藉由增加多重量子井數目的改變，不僅要考慮到電子電洞對複合速率的增加也同時考慮到載子數本身在量子井准中性區的數目，使可以不僅提升UVB的激子放射元件的效率也同時提高其元件功率，希望可以順利開發出UVB LED delta function的能階密度，可以大大減少元件放光頻譜的半高寬。

Project IDs

系統編號:PB11107-7841
原計畫編號:MOST111-2221-E182-061

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/22 → 31/07/23

Keywords

電子電機工程
有機金屬氣相沉積
AlGaN
UVB LED
激子

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=14508567

利用應力補償結構開發氮化鋁鎵激子對放射深紫外光發光二極體之研製

研究計畫-專案詳細資料

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