利用應力補償結構開發氮化鋁鎵激子對放射深紫外光發光二極體之研製(II)

Lin, Ray-Ming (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

本計畫是要開發藉由P-N二極體中的奈米結構，電子注入與電洞注入量子井中，也可直接產生"束縛電子電洞對"，產生激子放射光。我們提出DUV LED先求有電洞數的創新的結構與設計(SREE)，我們希望開發AlGaN LED的激子放射。想像一下，我們來做氮化鋁鎵深紫外線發光元件中電子與電洞的媒人，試圖將Electrons先生和Holes小姐結合起來，以確保她們從一而終單純美好的婚姻，有什麼可能的辦法嗎？我們雖然犧牲了一些光子被P型氮化鎵所吸收，但是這樣可以換取更多的綠色能源效率-有時更多的增益來自於損失！

Project IDs

系統編號:PB11207-2855
原計畫編號:NSTC112-2221-E182-042

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/23 → 31/07/24

Keywords

光電工程
有機金屬氣相沉積
氮化鋁鎵
紫外光B波段發光二極體
激子

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=15461203

利用應力補償結構開發氮化鋁鎵激子對放射深紫外光發光二極體之研製(II)

研究計畫-專案詳細資料

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