開發高效能的非晶氧化物半導體薄膜電晶體使用稀土族氧化層當作閘極

Pan, Tung-Ming (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

開發高效能非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用稀土族氧化層當作閘極絕緣層，並深入分析 InZnO'ZnSnO和InZnSnO三種非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用Ce〇2和CeTixOy閘極絕緣層於不同量測環境、電壓應力、照光下之退化機制以及利用不同退火氣氛的製程方式改善電性和可靠度，目標開發出可具量產性、價格合理化以及商品化之應用。在本計劃初期，開發高品質的稀土族的CeO2 和CeTixOy閘極絕緣層，研究不同Ar/O2流量，厚度和退火溫度對於Ce〇2和CeTixOy薄膜之結構與電性特性，第二年藉由低溫濺鍍法製作InZnO、ZnSnO和InZnSnO三種非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜材料特性，研究InZnO、ZnSnO和InZnSnO三種非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用CeO2和CeTixOy閘極絕緣層之結構與電性特性。最後，將深入探討正/負電壓應力、照光應力、正/負電壓照光應力以及正/負偏壓溫度不穩定，以及在高溫高濕狀況下對的InZnO、 ZnSnO和InZnSnO三種非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用Ce〇2和CeTixOy閘極絕緣層之可靠度機制。。

Project IDs

系統編號:PB10507-1705
原計畫編號:MOST105-2221-E182-064

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/16 → 31/07/17

Keywords

電子電機工程

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11892991

開發高效能的非晶氧化物半導體薄膜電晶體使用稀土族氧化層當作閘極

研究計畫-專案詳細資料

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