開發高效能的薄膜電晶體應用軟式基板

稀土族氧化物也是受到廣泛研究的領域因它具有高的高介電係數、高的能隙以及良好熱穩定性。此外，鐵電材料是一種非常好介電的材料，它展示良好的極化和非極化狀態的相位轉變，並具有負電容和極化的特性，已被廣泛應用在大尺度的電子元件上。本計畫開發高效能的軟式基板非晶氧化物半導體薄膜電晶體使用三種稀土族氧化層(CeTixOy, NdTixOy, GdTixOy)搭配三種負電容的鐵電薄膜(BiFeO3, SrTiO3, BaTiO3)之材料當作堆疊閘極絕緣層，並深入分析InGaZnO非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用三種稀土族氧化層/四種負電容負電容的鐵電材料之堆疊閘極絕緣層於不同量測環境、電壓應力、照光下之退化機制以及利用不同退火氣氛的製程方式改善電性和可靠度，目標開發出可具量產性、價格合理化以及商品化之應用。第一年開發三種高品質的稀土族的CeTixOy, NdTixOy, GdTixOy/三種負電容的BiFeO3, SrTiO3, BaTiO3薄膜之堆疊閘極絕緣層，研究不同Ar/O2流量，厚度和退火溫度對於 PrTixOy, ErTixOy, YbTixOy/BiFeO3, SrTiO3, BaTiO3堆疊之結構與電性特性。第二年藉由低溫濺鍍法製作可撓式的InGaZnO非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜材料特性，研究InGaZnO非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用CeTixOy, NdTixOy, GdTixOy/BiFeO3, SrTiO3, BaTiO3薄膜之堆疊閘極絕緣層的結構與電性特性。第三年將深入探討正/負電壓應力、照光應力、正/負電壓照光應力以及正/負偏壓溫度不穩定，以及在高溫高濕狀況下對的可撓式的InGaZnO非晶氧化物半導體薄膜電晶體元件使用CeTixOy, NdTixOy, GdTixOy/BiFeO3, SrTiO3, BaTiO3薄膜之堆疊閘極絕緣層之可靠度機制。

系統編號:PB10907-2379
原計畫編號:MOST109-2221-E182-028