具二維材料二硒化合物模板之基板實現高銦含量黃光半導體雷射研製

Lin, Ray-Ming (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

（二）本計畫主要之研究目的是要開發世界上第一顆的黃光半導體雷射。利用實驗室大陽日酸有機金屬氣相磊晶設備（MOVPE, 10kpa-100kpa）成長氮化合物黃光雷射磊晶結構開發。氮化銦鎵(InGaN)黃光波段半導體雷射須解決得到高品質高銦含量之氮化銦鎵量子井及足夠大的電子侷限位能障。目前本團隊已由今年之一年期計畫得到光激發光波長560nm之量子井結構，欲繼續申請兩年期計畫將以取得之特殊專利技術利用數層極性二維材料披覆在藍寶石基板上，可隔絕藍寶石基板之原子極性，又選用之二維材料(二硒化合物)晶格常數接近於黃光波段之InGaN不僅可大幅增加銦含量提高磊晶溫度增加晶體品質亦可免去緩衝層的成長，最後主動層也提出一應力調變技術用以提高臨界厚度來達到提高銦濃度。此一技術若成熟預期可以氮化銦鎵完成涵蓋綠、黃、紅等長波長之發光波段並能開發出世界上第一顆的黃光半導體雷射。

Project IDs

系統編號:PB10907-4049
原計畫編號:MOST109-2221-E182-060

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/20 → 31/07/21

Keywords

光電工程
有機金屬氣象沉積
氮化銦鎵
黃光雷射
二維材料
二硒化合物

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=13535595

具二維材料二硒化合物模板之基板實現高銦含量黃光半導體雷射研製

研究計畫-專案詳細資料

摘要

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存取研究計畫-專案

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