具電漿浸沒離子注入處理之快閃式離子感測元件技術開發

電漿浸沒離子注入(Plasma Immersion Ion Implantation)的技術是一三維離子注入的材料表面改質技術，其主要用以改善傳統離子注入技術的缺點，如二維注入、小面積、低束流及高成本。本實驗室從早期PIII 技術應用於SOI 製程之電性研究與特性改善開始研發、到近期的具PIII電漿處理之鎢及鍺奈米晶體製程開發，我們已掌握了PIII 物理機制以及未來應用的前景。本計畫將PIII 技術首度引入高介電絕緣層以及奈米晶點於生醫感測元件(Ion Sensitive Field EffectTransistor-ISFET or Reference Electrode Field Effect Transistor-REFET)領域之應用。在此提出(1)PIII 應用於新型快閃式離子感測電容元件(Flash EIS, FEIS)之技術開發(2) 具PIII 優化處理之快閃式離子感測場效電晶體元件(Flash ISFET, FISFET)技術開發。同時，也將99 年研發之鎢奈米晶點快閃式記憶體電容器的成果轉移至感測元件的開發並結合PIII 技術(3) 將第一年及第二年之成果應用於開發具雙層奈米晶點之新型高效能離子感測場效電晶體感測元件。第一年PIII 電漿處理應用於新型快閃式離子感測電容元件(Flash EIS, FEIS)之技術開發a.完成具PIII 電漿處理之快閃式離子感測電容元件物理特性分析。b.完成具PIII 電漿處理之快閃式離子感測電容元件製作。c.完成PIII 電漿處理應用於快閃式離子感測電容元件電性分析。第二年具PIII 電漿處理之快閃式離子感測場效電晶體元件(Flash ISFET, FISFET)技術開發a.完成快閃式離子感測場效電晶體元件製作。b.完成具PIII 電漿處理之快閃式離子感測場效電晶體元件製作。c.完成具PIII 電漿處理之快閃式離子感測場效電晶體元件物理特性與電性分析。第三年具雙層奈米晶點之新型高效能離子感測場效電晶體感測元件開發a.完成具雙層奈米晶點之新型高效能離子感測場效電晶體感測元件製作。b.完成具PIII 電漿優化具雙層奈米晶點新型高效能離子感測場效電晶體感測元件製作。c.完成具PIII 電漿處理之雙層奈米晶點之新型高效能離子感測場效電晶體感測元件物理特性及電性分析。

系統編號:PB10001-1177
原計畫編號:NSC100-2623-E182-005-NU