利用四族半導體(Si & Ge)製作奈米線應用於快閃記憶體和奈米電子元件

當 CMOS 尺寸縮小逐漸遇到問題時,以矽和鍺奈米線作為運用在多功能電子元件,逐漸吸引了大家的興趣。因為它在奈米電子和高感應非揮發性記憶體上有著可能的運用。半導體奈米線將首先著重在奈米級的非揮發性記憶體和奈米電子元件的運用。新技術將被用在製作奈米級的元件。我們期待我們的奈米線在未來可用在大量的產品上。我們針對在未來奈米科計運用的奈米線的研究將在以下說明。我們的第一年(a)矽和鍺奈米線將以熱蒸鍍方式沉積在SiO2/Si晶圓上。(b)奈米線將被製作在patterned SiO2/Si基板上或是奈米線陣列上。(c)利用新技術我們可以控制奈米線的長度和直徑。(d)利用接觸式原子力顯微鏡得到奈米線的特性。(e)奈米線記憶體電容的設計與研究將被研究。我們的第二年:(a)奈米線的記憶特性將被深入研究。(b)設計和製作奈米線陣列記憶電容器。(c)利用物理和電性量測，我們研究奈米線記憶陣列電容器。(d)利用接觸式原子力顯微鏡我們可以設計和製作奈米線記憶體和奈米電子元件。我們的第三年:(a)利用接觸式原子力顯微鏡或新技術來找尋簡單的方式去製作奈米線記憶體和奈米電子或高速元件。(b)奈米線元件的電特性將被鑑定。(c)找尋可重複和一致的奈米線的製作方式，以利用在快閃記憶體和奈米電子元件(d)熟知奈米線記憶陣列和奈米電子或高速電晶體應該在大量產品上。

系統編號:PB9803-0094
原計畫編號:NSC98-2923-E182-001-MY3