高介電常數的三氧化鐠與三氧化釔閘極介電層在薄膜電晶體、快閃記憶體及離子感測電晶體應用

二十一世紀的半導體工業與生物科技發展，對提升人類生活品質的進度，只能用一日千里來形容。全世界的眼光都投向可以完全改變人類目前生活方式的領域，就是半導體工業及生物科技，薄膜電晶體被廣泛的運用在一些液晶顯示器的電子產品上，像是數位相機、投影機、液晶螢幕等，主要影響液晶顯示器的反應速度與尺寸就是薄膜電晶體。快閃記憶體目前被廣泛的運用到許多可攜式的電子產品，例如手機、數位相機、隨身碟等等，為了因應市場需求，大容量、高速度與低操作電壓的快閃記憶體需求也隨之增加。在人與生物的課題上，有著許許多多讓我們可以控制改善原本限制的機會，例如DNA序列、複製動物與複製人、生物晶片的研究，無一不會對目前的生活做出重大改善與貢獻。本計劃將以『高介電常數的三氧化鐠與三氧化釔閘極介電層在薄膜電晶體、快閃記憶體及離子感測電晶體應用』為題，將新的高介電常數介電材料應用在半導體薄膜電晶體、快閃記憶體及離子感測電晶體，使它能積體化、價格合理化以及商品化。本計畫可分三年進行研究：第一年是高介電常數的三氧化鐠與三氧化釔閘極介電層在薄膜電晶體之研發，可以製作高Ion/Ioff比值、高的移動率、以及優秀可靠度的薄膜電晶體。第二年是高介電常數的三氧化鐠與三氧化釔閘極介電層在快閃記憶體之研發，可以製作高的P/E速度、長時間的資料儲存、高的P/E次數、以及低的閘極和汲極干擾的快閃記憶體。第三年是高介電常數的三氧化鐠與三氧化釔閘極介電層在離子感應電晶體之研發，可以製作高敏感度、低漂移、小遲滯、小尺寸、以及低成本的離子感測電晶體。

系統編號:PB9902-0662
原計畫編號:NSC97-2221-E182-050-MY3