研究計畫-專案詳細資料
摘要
對於學術研究、國家發展及其他應用方面預期之貢獻方面，本計畫提出5-nm AlN位障層與無缺陷之GaN基板及其磊晶技術，解決氮化鎵在Si、SiC基板晶格不匹配所造成之可靠度等問題，並且透過不同通道層厚度與AlGaN B.B.改善傳統摻雜基板之電流崩塌效應，解決第五代通訊器件所須抗高溫、高生命期、高可靠度的微波毫米波電晶體，並且透過第二年之Angelov來萃取元件模型，開發第五代行動通訓所需氮化鎵元件與模組，同時拓展台灣學術與經濟方面之廣度。
Project IDs
系統編號:PB11307-2069
原計畫編號:NSTC113-2221-E182-043-MY2
原計畫編號:NSTC113-2221-E182-043-MY2
| 狀態 | 進行中 |
|---|---|
| 有效的開始/結束日期 | 01/08/24 → 31/07/25 |
Keywords
- 電子電機工程
- 氮化鎵
- 高電子遷移率電晶體
- 氮化鎵基板
- 背屏障層
- 毫米波
- 第五代行動通訊
- 功率放大器
- 可靠度
- Angelov模型