高效能矽基板上氮化鎵功率與微波電晶體技術開發( II )

過去十年間，全球矽基板上六吋空乏型氦化鎵場效應電晶體不僅從晶圓片磊晶，半導體製程， 以及到後段封裝技術都有十足進展，加上氦化鎵材料的成本與製程技術已經趨於成熟，而氦化鎵材 料先天的材料優勢如:高抗熱、高崩潰電壓、高電子飽和速度、優秀壓電效應產生的高電流密度，使 得氦化鎵高速場效應電晶體的導通電阻只有傳統矽基板功率電晶體的百分之二，使其具有相當大之 潛力在未來高速、高功率的電晶體應用，本計畫將提出以台灣標準六吋矽製程廠提供的標準製程來 量產氦化鎵深空乏型金氧半場效應電晶體，第一階段是在長庚大學開發無金製程之符合商業規格的 電晶體基本製程與電性參數，磊晶片技術最佳化，並配合新式高效率類鑽碳散熱製程與空橋式矩陣 功率元件布局來開發第一階段樣品，第二階段隨即將相關光罩與製程條件轉移至漢磊科技進行0.5 與0.25微米閘極長度六吋空乏型氦化鎵場效應電晶體全製程，此量產光罩為長庚大學與合作廠商晶 越共同開發擁有，製程完畢之電晶體將會配合設計之光罩檔案送至久元電子進行六吋片元件全測試 並進行不良品打印去除，測試後良品元件具有600V崩壓，電流12A〜50A之大型功率元件將送至晶 越微波積體電路公司進行疊接式封裝，該技術與低壓矽半導體組裝完畢後可以提供切換式電源與低 電阻高電流音響放大器使用，而良品元件具有600V崩壓，電流2A〜10A之中型功率元件則提供晶越 微波積體電路公司用於微波功率電晶體在5GHz以下基地台功率放大器電路的核心元件使用，所以本 計畫從氦化鎵半導體磊晶與製程設計開發，功率元件散熱考量，封裝技術最佳化都會與產學合作廠 商密切合作完成此開發型產學合作案，提升晶越微波積體電路公司封裝技術附加價值與新式產品營 收，達到學術單位技術深耕工業並扶植台灣中小企業在功率電子與微波電晶體等關鍵零組件自我開發製造能力。

系統編號:PB10507-1304
原計畫編號:MOST105-2622-E182-001-CC2