以碳化矽/矽基板混合键合技術實現高可靠度1200V氮化鎵增強型功率電晶體

Chiu, Hsien-Chin (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

GaN功率半導體元件正成為下一代高性能電動車的關鍵元素，在於操作頻率可以快可實現車體輕量化且更佳的散熱管理，GaN FET目前的困難點在於無法達到更高的崩潰電壓，我們提出三年計畫來深耕台灣新式電力電子半導體元件基礎工業，或許本技術困難點非常具有挑戰性，但是我們仍然應該在此關鍵技術發展上進行布局以期待車用產業在大量需求時可以隨時切入，2030年前電動車（EV）將成為主流，而車用化合物半導體對台灣十分重要，台灣也更需要在GaN領域加大投入力道。

Project IDs

系統編號:PB11107-8719
原計畫編號:MOST111-2221-E182-060

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/22 → 31/07/23

Keywords

電子電機工程
碳化矽/矽基板
可靠度測試
增強型氮化鎵元件
1200V 高壓氮化鎵元件
氮化鎵電子模型

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=14513623

以碳化矽/矽基板混合键合技術實現高可靠度1200V氮化鎵增強型功率電晶體

研究計畫-專案詳細資料

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