P型氮化鎵朝下氮化鎵藍光發光二極體之改善電子電洞非對稱性

本計晝預計分為三年執行。P型氮化鎵於下方之藍光發光二極體(PDLEDs)是先成長P型氮化鎵再 接著成長主動層與N型氮化鎵。因此可以先使用高溫成長高品質和低阻值之P型氮化鎵。本計劃可以 提升P型氮化鎵之品質，此能解決P型氮化鎵之導電率差之問題，進一步電子電洞非對稱之問題。本計晝將分為三大部分：1.針對P-GaN之磊晶調整，成長出高品質與低阻值之P-GaN。針對P-GaN之磊晶調整，成長出 高品質與低阻值之P-GaN。首先，透過磊晶參數的調整，調整成長溫度、氣體之五三比(TMG/NH3) 與載流氣體(H2/N2)之含量比例。2.我們將進一步成長高品質之MQW與N型氮化鎵。首先，透過磊晶參數(溫度、carrygas、NH3、 TEG)的調整，先將高品質之MQW成功成長於P-GaN上。接下來，成長N型氮化鎵於主動層上。由 於N-GaN需要成長在MQW上，成長溫度不能太高，因此調整低溫之成長氮化鎵參數，其N-GaN之 摻雜濃度會隨之改變，接下來進行摻雜濃度的一系列實驗，以期達到品質較好之N-GaN。.3.進行退火之研究與元件製作。於傳統P型氮化鎵於上方(P-sideup)藍光發光二極體不同的是，P 型氮化鎵位於下方，因此退火之參數勢必改變。最後進行元件之製作和實驗分析。此創新之圖形設計與磊晶方式之結合，預計能夠達到LED概念性的突破，以達到高效率發光二 極體全面性的開發，將帶來跨時代的發展。

系統編號:PB10701-0271
原計畫編號:MOST105-2221-E182-034-MY3