以微波退火活化非晶臨界劑量以下離子植入摻雜之機制探討

Chang, Ruey-Dar (PI)

電子工程學系(含學碩博士班)

研究計畫: 國家科學及技術委員會(原科技部) › 國家科學及技術委員會學術補助

摘要

目前運算架構轉向分散，硬體系統架構也是趨向分散，需要發展三維積體電路。本計畫將釐清非晶化臨界值以下的離子植入摻雜經微波退火產生載子的機制，協助導入微波退火於後段低溫三維製程。

Project IDs

系統編號:PB11207-4311
原計畫編號:NSTC112-2221-E182-066

狀態	已完成
有效的開始/結束日期	01/08/23 → 31/07/24

Keywords

電子電機工程
缺陷
載子
離子植入
微波退火
霍爾量測

存取研究計畫-專案

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=15484949