以有機金屬化學氣相沉積法成長氮化銦-光電物理特性與元件應用之研究

本計畫使用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)技術，成長高品質的氮化銦薄膜與各種低維度奈米結構，並進行各項相關光電物理特性檢測與電子元件的製作，研究範疇兼具基礎理論與實務製作。在基礎理論方面將研究量子侷限與表面效應對光電轉換、載子傳輸方面的影響；另一方面在元件製作上，主要發揮本團隊過去在氮化物上的製程經驗進行電子元件研究工作。此三年期的計劃主要內容為：(一)第一年：調整有機金屬氣相磊晶系統的製程參數，例如基板、成長溫度、前驅物之流量與三五比等，藉由光電特性的量測結果回饋系統進行參數優化的工作；(二)第二年：製作各種低維度氮化銦奈米結構(奈米線、奈米柱與量子點等)，觀察尺寸效應對氮化銦特性的影響。另外，優化製程參數以降低背景雜質濃度提升磊晶品質，更是成長P型氮化銦的重要關鍵；(三)第三年：利用氮化銦的高遷移率與高飽和速度特性，製作MIS場效電晶體(MISFET)與高電子移動率電晶體(HEMT)等元件。將此材料研究實用化。計劃總目標在於提升MOCVD成長的氮化銦磊晶與元件製作品質，評估其技術應用的可行性。

系統編號:PB9712-1876
原計畫編號:NSC97-2112-M182-004-MY3