研究計畫-專案詳細資料
摘要
目前記憶體內運算已經成為延續摩爾定律重要的方向，需要發展三維積體電路。本計畫將釐清離子植入缺陷於低溫產生載子的機制，協助導入離子植入於低溫三維製程之開發，在學理及實務上皆有所貢獻。
Project IDs
系統編號:PB11107-7827
原計畫編號:MOST111-2221-E182-059
原計畫編號:MOST111-2221-E182-059
| 狀態 | 已完成 |
|---|---|
| 有效的開始/結束日期 | 01/08/22 → 31/07/23 |
Keywords
- 電子電機工程
- 缺陷
- 載子
- 鍺
- 離子植入
- 霍爾量測