跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
長庚大學學術能量集萃 首頁
說明與常見問題
English
中文
首頁
學者概覽
研究單位
研究產出
研究計畫-專案
獎項
活動
新聞/媒體
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
氮化物磊晶成長於碳化矽基板與元件開發之研製(I)
Lin, Ray-Ming
(PI)
電子工程學系(含學碩博士班)
研究計畫
:
國家科學及技術委員會(原科技部)
›
國家科學及技術委員會學術補助
概覽
指紋
指紋
探索此專案觸及的研究主題。這些標籤是根據基礎獎勵/補助款而產生。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering
Device Structure
100%
Flash Memory
100%
Nitride
100%
Crystal Quality
50%
Field-Effect Transistor
50%
High Current Density
50%
Vapor Deposition
50%
Ion Implantation
50%
Charge Storage
50%
Dielectric Layer
50%
Rapid Thermal Annealing
50%
Surface Morphology
50%
Atmospheric Pressure
25%
Atmospheric Pressure
25%
Material Science
Silicon Carbide
100%
Nitride Compound
100%
Epitaxy
100%
Aluminum Nitride
100%
Field Effect Transistors
11%
Film
11%
Density
11%
Metal Oxide
11%
Oxide Compound
11%
Ion Implantation
11%
Electron Mobility
11%
Surface Morphology
11%
Dielectric Material
5%
Dielectric Material
5%
Chemical Engineering
Epitaxial Growth
100%
Silicon Carbide
100%
Nitride
50%
Nitride
50%
Vapor Deposition
12%
Film
6%