鍺基板摻雜之活化模型

目前鰭狀電晶體等非平面元件結構已經成為主流，窄小的通道橫截面雖有助於壓制短通道效應，高串聯電阻嚴重影響電晶體的操作速度。提升電晶體的性能必須使用高載子遷移率的半導體材料，鍺被視為最可能替代矽的材料，鍺的電子及電洞的遷移率皆優於矽，然而n型摻雜在鍺的活化效率極低，嚴重影響鍺電晶體的實現。本計畫將開發鍺基板之摻雜活化模型。第一年將將整合新的背向霍爾量測及差分霍爾量測，建立鍺基板摻雜活化分析平臺，以得到退火早期之摻雜活化與缺陷分布。我們將利用電腦模擬最佳化背向霍爾量測的測試結構，差分霍爾量測所得的縱深活化摻雜分布也將加以校正。第二年將進行多重離子植入退火及高劑量離子植入非晶化實驗。藉由新的摻雜活化分析平台量測熱處理中活化摻雜與帶電缺陷的分布變化，我們可以了解摻雜活化與缺陷反應之物理機制。藉著這些機制可以發展出摻雜活化模型。摻雜活化模型將借助於動力蒙地卡羅原子模擬以掌握微觀摻雜與缺陷之反應。巨觀的摻雜活化行為則將建立連續方程式模型，方便與現有製程模擬平台整合。本研究之結果將有助於我們了解鍺基板內之帶電缺陷，以實現量產鍺電晶體，使積體電路的性能可持續提升。

系統編號:PB10507-1734
原計畫編號:MOST105-2221-E182-061